據(jù)11 月 1 日消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)于 9 月 1 日正式發(fā)布了 20TB 容量的機(jī)械硬盤(pán)。這款產(chǎn)品除了傳統(tǒng)的盤(pán)體之外，還采用了 OptiNAND 技術(shù)，在電路板上集成了 iNAND UFS 嵌入式閃存（embedded flash drive，簡(jiǎn)稱(chēng) EFD），使用的是未知容量的 3D TLC UFS 閃存芯片。

西部數(shù)據(jù) CEO David Goeckler 在與分析師和投資者的電話(huà)會(huì)議上表示，將于 11 月開(kāi)始批量出貨采用 OptiNAND 技術(shù)的 20TB 硬盤(pán)。這款硬盤(pán)內(nèi)部封裝了 9 個(gè)碟片，單碟容量約為 2.2TB，使用了 ePMR（能量輔助垂直記錄技術(shù)）。磁頭使用了更為精準(zhǔn)的三級(jí)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，能夠使得讀、寫(xiě)磁頭精準(zhǔn)定位。硬盤(pán)的 SoC 控制芯片由西部數(shù)據(jù)自行研發(fā)。

另外，OptiNAND 還為該平臺(tái)增加了多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，RRO 數(shù)據(jù)和寫(xiě)操作元數(shù)據(jù)均可以存儲(chǔ)在 iNAND 閃存中，這樣不僅能夠減少對(duì)于硬盤(pán)空間的占用，同時(shí)也能夠大幅降低硬盤(pán)讀寫(xiě)操作數(shù)（IO 數(shù)）。總之，UFS 閃存還能夠存儲(chǔ)扇區(qū)級(jí)別的寫(xiě)操作數(shù)據(jù)，這樣能夠優(yōu)化存儲(chǔ)要求，減少 ATI（相鄰磁道干擾數(shù)據(jù)）刷新次數(shù)，來(lái)提高性能。